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    纳克微束—半导体失效分析解决方案2024-03-29

    方案简介:

    半导体器件生产过程中,缺陷的存在会不同程度影响产品质量,例如关键位置的金属类夹杂可能会引发器件的短路,清洗溶液不纯净引入的有机、无机析出物可能会导致光刻、离子注入、沉积等环节的失败,进而引发晶圆图形与设计不符等问题。因此,晶圆生产制造过程需要对缺陷进行实时监控,并对大量重复出现的缺陷进行分析溯源,以快速明确夹杂、缺陷的来源,从而控制调整相关工艺,稳定产品质量。

    纳克微束FE-1050热场发射型扫描电镜,具有在1kV落点电压(减速电场)下1.5nm的极限分辨能力,可以对电子束敏感类材料直接成像,最小化对样品的电子辐照损伤。

    FE-1050系列扫描电镜具有宽大的主腔室和五轴样品台,最大可进入φ300mm*50mm尺寸的样品,整个系统提供多达27个探测器接口,最大程度为用户观察分析提供便利。可根据用户使用场景,做高速采集升级改造,改造后的扫描速度可达到常规扫描电镜的50-100倍,更适用于大面积连续扫描成像和缺陷自动分析场景。

    同时,还可为有特殊缺陷检测需求的用户提供定制化的算法外包开发服务,包括但不限于传统机器视觉、深度学习型机器视觉等类型的服务。定制化服务形式灵活,开发周期可根据用户产品更迭和产能情况及时调整。


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